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BSS123W-7-F中文资料

BSS123W-7-F图片

BSS123W-7-F外观图

  • 大小：92.43KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：Diodes Incorporated [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：170mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 欧姆 @ 170mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：60pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装：SOT-323
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSS123W-FDITR

BSS123W-7-F供应商

更新时间:2023-01-03 08:46:12
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